SP8K4FU6TB
Rohm Semiconductor
Deutsch
Artikelnummer: | SP8K4FU6TB |
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Hersteller / Marke: | LAPIS Technology |
Teil der Beschreibung.: | MOSFET 2N-CH 30V 9A 8SOIC |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | ROHS3 -konform |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | 8-SOP |
Serie | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 17mOhm @ 9A, 10V |
Leistung - max | 2W |
Verpackung / Gehäuse | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Paket | Tape & Reel (TR) |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Befestigungsart | Surface Mount |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1190pF @ 10V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 21nC @ 5V |
FET-Merkmal | Logic Level Gate |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 9A |
Konfiguration | 2 N-Channel (Dual) |
Grundproduktnummer | SP8K4 |
SP8K4FU6TB Einzelheiten PDF [English] | SP8K4FU6TB PDF - EN.pdf |
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2024/10/23
2024/06/6
2024/07/10
2024/05/10
SP8K4FU6TBRohm Semiconductor |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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